BSM25GD120DN2,1496948,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK,INFINEON
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BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2 -
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK
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制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
BSM25GD120DN2
仓库库存编号:
1496948
技术数据表:
(EN)
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BSM25GD120DN2产品概述
The BSM25GD120DN2 is an IGBT Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
3-phase Full bridge
130ns Rise time
100ns Fall time
±20V Gate-emitter voltage
工业
BSM25GD120DN2产品信息
晶体管极性
N沟道
集电极直流电流
35A
集电极发射饱和电压, Vce
3V
功耗 Pd
200W
集电极发射电压, Vceo
1.2kV
晶体管封装类型
EconoPACK
针脚数
17引脚
工作温度最高值
125°C
产品范围
-
关键词
BSM25GD120DN2替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
FS25R12KT3BOSA1
2749245
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 40 A, 1.7 V, 145 W, 1.2 kV, Module
(EN)
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针脚数 17引脚
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BSM25GD120DN2产地与重量
原产地:
Germany
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.18
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