BSC600N25NS3GATMA1,2432713,晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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BSC600N25NS3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON BSC600N25NS3GATMA1
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制造商产品编号:
BSC600N25NS3GATMA1
仓库库存编号:
2432713
技术数据表:
(EN)
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BSC600N25NS3GATMA1产品概述

The BSC600N25NS3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
  • Industry's lowest RDS (ON)
  • Lowest Qg?and Qgd
  • World's lowest FOM and MSL 1 rated
  • Highest efficiency
  • Highest Power density
  • Lowest board space consumption
  • Minimal device paralleling required
  • Environmentally friendly
  • Easy-to-design-in products
  • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
  • Qualified according to JEDEC for target application
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 照明, 音频

BSC600N25NS3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  25A  
  漏源电压, Vds  250V  
  在电阻RDS(上)  0.05ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  125W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSC600N25NS3GATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000152
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