BSC196N10NSGATMA1,1775474,晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 16.7 mohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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BSC196N10NSGATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 16.7 mohm, 10 V, 3 V

INFINEON BSC196N10NSGATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号：
1775474
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSC196N10NSGATMA1产品概述

The BSC196N10NS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
  • Excellent switching performance
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg?and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Halogen-free
  • MSL1 rated 2

电源管理, 音频, 电机驱动与控制, 工业, 车用

BSC196N10NSGATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  45A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  16.7mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  78W  
  晶体管封装类型  PG-TSDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSC196N10NSGATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000188
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