BSC070N10NS3GATMA1,2443421,晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 V,INFINEON
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BSC070N10NS3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON BSC070N10NS3GATMA1
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制造商产品编号：
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
2443421
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BSC070N10NS3GATMA1产品概述

The BSC070N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
  • Excellent switching performance
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg?and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Halogen-free
  • MSL1 rated 2

电源管理, 音频, 电机驱动与控制, 工业, 车用

BSC070N10NS3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  90A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0063ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.7V  
  功耗 Pd  114W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

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N-Channel 100 V 7 mOhm OptiMOS?3 Power-Transistor - PG-TDSON-8

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Infineon Technologies - BSC070N10NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8

型号：BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号：BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC070N10NS3 GCT <br>BSC070N10NS3 GCT-ND <br>BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND <br>

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无图BSC070N10NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG		Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC070N10NS3GATMA1
INFINEON BSC070N10NS3GATMA1		2443421

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晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 V

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BSC070N10NS3GATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0003
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