BSC060P03NS3EGATMA1,2432709,晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V,INFINEON

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BSC060P03NS3EGATMA1 -

晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V

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制造商：: INFINEON INFINEON
制造商产品编号：: BSC060P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：: 2432709
技术数据表：: (EN)

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BSC060P03NS3EGATMA1产品概述

The BSC060P03NS3E G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.

Enhancement-mode
Normal level, logic level or super logic level
100% Avalanche rated
ESD Protected
Qualified to JEDEC for target applications
Halogen-free, Green device

电源管理, 工业

BSC060P03NS3EGATMA1产品信息

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手机网站：m.szcwdz.com

BSC060P03NS3EGATMA1产地与重量

原产地：: Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .0005

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	P沟道
电流, Id 连续	-100A
漏源电压, Vds	-30V
在电阻RDS（上）	0.0041ohm
电压 @ Rds测量	-10V
阈值电压 Vgs	-2.5V
功耗 Pd	83W
晶体管封装类型	TDSON
针脚数	8引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	AEC-Q101
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

BSC060P03NS3EGATMA1 -

晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V

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