BFR193E6327HTSA1,2432737,晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE,INFINEON
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BFR193E6327HTSA1
BFR193E6327HTSA1 -
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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制造商:
INFINEON
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制造商产品编号:
BFR193E6327HTSA1
仓库库存编号:
2432737
技术数据表:
(EN)
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BFR193E6327HTSA1产品概述
The BFR 193 E6327 is a NPN low-noise silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. The device is suitable for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM and RF modems.
工业, 无线, 电源管理
BFR193E6327HTSA1产品信息
晶体管极性
NPN
集电极发射电压, Vceo
12V
过渡频率, ft
8GHz
功耗 Pd
580mW
集电极直流电流
80mA
直流电流增益, hFE
70hFE
射频晶体管封装
SOT-23
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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过渡频率, ft 8GHz
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功耗 Pd 580mW
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双极性射频晶体管 功耗 Pd 580mW
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集电极直流电流 80mA
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射频晶体管封装 SOT-23
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针脚数 3引脚
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双极性射频晶体管 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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双极性射频晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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BFR193E6327HTSA1产地与重量
原产地:
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.000006
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