BFR193E6327HTSA1,2432737,晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE,INFINEON
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BFR193E6327HTSA1 - 

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

INFINEON BFR193E6327HTSA1
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制造商产品编号:
BFR193E6327HTSA1
仓库库存编号:
2432737
技术数据表:
(EN)
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BFR193E6327HTSA1产品概述

The BFR 193 E6327 is a NPN low-noise silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. The device is suitable for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM and RF modems.

工业, 无线, 电源管理

BFR193E6327HTSA1产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  12V  
  过渡频率, ft  8GHz  
  功耗 Pd  580mW  
  集电极直流电流  80mA  
  直流电流增益, hFE  70hFE  
  射频晶体管封装  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BFR193E6327HTSA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000006
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