BFP650FH6327XTSA1,2480673,晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE,INFINEON
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BFP650FH6327XTSA1 - 

晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE

INFINEON BFP650FH6327XTSA1
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制造商产品编号:
BFP650FH6327XTSA1
仓库库存编号:
2480673
技术数据表:
(EN)
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BFP650FH6327XTSA1产品概述

The BFP 650F H6327 is a linear low-noise Bipolar RF Transistor for medium power amplifiers and driver stages. The device is based on Infineon's reliable high volume silicon germanium technology and ideal for low phase noise oscillators.
  • Halogen-free

工业, 射频通信, 电源管理

BFP650FH6327XTSA1产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  4V  
  过渡频率, ft  42GHz  
  功耗 Pd  500mW  
  集电极直流电流  150mA  
  直流电流增益, hFE  110hFE  
  射频晶体管封装  TSFP  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BFP650FH6327XTSA1产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000008
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