FMP30N60S1,2414392,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V,FUJI ELECTRIC
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FMP30N60S1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

FUJI ELECTRIC FMP30N60S1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FMP30N60S1
仓库库存编号：
2414392
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FMP30N60S1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  0.106ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  250W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FMP30N60S1产地与重量

原产地：
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00567
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