MRF6V2300NBR5,1806064,射频场效应管, MOSFET, N沟道, 110V, TO-272,NXP
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MRF6V2300NBR5
MRF6V2300NBR5 -
射频场效应管, MOSFET, N沟道, 110V, TO-272
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制造商:
NXP
NXP
制造商产品编号:
MRF6V2300NBR5
仓库库存编号:
1806064
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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MRF6V2300NBR5产品信息
漏源电压, Vds
110V
电流, Id 连续
-
功耗 Pd
-
工作频率最小值
10MHz
运行频率最大值
600MHz
射频晶体管封装
TO-272
针脚数
4引脚
工作温度最高值
225°C
产品范围
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
关键词
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射频晶体管封装 TO-272
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针脚数 4引脚
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射频场效应管(FET)晶体管 工作温度最高值 225°C
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射频场效应管(FET)晶体管 MSL MSL 3 - 168 hours
NXP 射频场效应管(FET)晶体管 MSL MSL 3 - 168 hours
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Q Q:
800152669
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MRF6V2300NBR5产地与重量
税则号:
0
重量(千克):
.01539
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