NDT456P -

晶体管, MOSFET, P沟道, 7.3 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, 1.5 V

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：: NDT456P
仓库库存编号：: 9846190
技术数据表：: (EN)

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NDT456P产品概述

The NDT456P is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance.

High density cell design for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability
±20V Gate-source voltage

电源管理, 电机驱动与控制

晶体管极性	P沟道
电流, Id 连续	7.3A
漏源电压, Vds	-30V
在电阻RDS（上）	0.026ohm
电压 @ Rds测量	-10V
阈值电压 Vgs	1.5V
功耗 Pd	3W
晶体管封装类型	SOT-223
针脚数	4引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

NDT456P -

晶体管, MOSFET, P沟道, 7.3 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, 1.5 V

NDT456P产品概述

NDT456P产品信息

NDT456P替代选择

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, P沟道, 7.3 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, 1.5 V

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电路板, 多模适配器, 环氧玻璃复合, 1.5mm, 22.86mm x 46.72mm

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