NDS7002A,9845437,晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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NDS7002A - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD NDS7002A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDS7002A
仓库库存编号:
9845437
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDS7002A产品概述

The NDS7002A is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • High saturation current capability
  • Voltage controlled small signal switch
  • Rugged and reliable

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

NDS7002A产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  280mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.1V  
  功耗 Pd  300mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NDS7002A产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000035
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