NDS351AN,9845410,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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NDS351AN - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD NDS351AN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDS351AN
仓库库存编号:
9845410
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDS351AN产品概述

The NDS351AN is an N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench? process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
  • Ultra-Low gate charge
  • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

通信与网络, 电源管理, 消费电子产品, 计算机和计算机周边

NDS351AN产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.4A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  250mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.1V  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NDS351AN产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000036
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