MJD112TF - 

单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE

MJD112TF产品信息

MJD112TF替代选择

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• MJD112G
  
• 1459084

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  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000 hFE

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• MJD112T4G.
  
• 1705535

• ON SEMICONDUCTOR

  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK

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• MJD112T4
  
• 2341708

• STMICROELECTRONICS

  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE

  (EN)
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• MJD112T4G
  
• 2441270

• ON SEMICONDUCTOR

  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 12 hFE

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• MJD112T4G
  
• 2533156

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  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE

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MJD112TF相关搜索

MJD112TF产地与重量

原产地：

South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000546