IRLM110ATF,4497727,场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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IRLM110ATF
IRLM110ATF -
场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：
IRLM110ATF
仓库库存编号：
4497727
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRLM110ATF产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
1.5A
漏源电压, Vds
100V
在电阻RDS（上）
440mohm
电压 @ Rds测量
5V
阈值电压 Vgs
2V
功耗 Pd
2.2W
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
工作温度最高值
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
关键词
IRLM110ATF相关搜索
晶体管极性 N沟道
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 N沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 1.5A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.5A
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漏源电压, Vds 100V
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在电阻RDS（上） 440mohm
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电压 @ Rds测量 5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 5V
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阈值电压 Vgs 2V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2V
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功耗 Pd 2.2W
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晶体管封装类型 SOT-223
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited
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sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
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IRLM110ATF产地与重量
原产地：
Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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