HGT1S10N120BNST,2454176,单晶体管, IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 引脚,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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HGT1S10N120BNST - 

单晶体管, IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 引脚

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD HGT1S10N120BNST
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制造商产品编号:
HGT1S10N120BNST
仓库库存编号:
2454176
技术数据表:
(EN)
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HGT1S10N120BNST产品信息

  集电极直流电流  35A  
  集电极发射饱和电压, Vce  2.45V  
  功耗 Pd  298W  
  集电极发射电压, Vceo  1.2kV  
  晶体管封装类型  TO-263AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

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IGBT Transistors N-Channel IGBT NPT Series 1200V

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IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: HGT1S10N120BNST)

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: HGT1S10N120BNST)

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TO-263, SINGLE, 1200V, NPT SER

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TO-263, SINGLE, 1200V, NPT SER

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IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3

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HGT1S10N120BN Series 1200 V 35 A 298 W SMT NPT N-Channel IGBT - TO-263AB

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Transistor: IGBT, 1.2kV, 17A, 298W, D2PAK

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单晶体管, IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 引脚

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Fairchild/ON Semiconductor - HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

详细描述:IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB

型号:HGT1S10N120BNST
仓库库存编号:HGT1S10N120BNSTCT-ND
别名:HGT1S10N120BNSTCT
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HGT1S10N120BNST|Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - HGT1S10N120BNST - Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-263AB封装

制造商零件编号:
HGT1S10N120BNST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6660
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QQ:800152669

HGT1S10N120BNST产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.001312
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