FQU17P06TU,9846174,晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQU17P06TU - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQU17P06TU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQU17P06TU
仓库库存编号：
9846174
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQU17P06TU产品概述

The FQU17P06 is a P-channel enhancement mode power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested
  • Low crss (typical 80pF)
  • ±25V Gate-source voltage

电源管理, 电机驱动与控制, 音频

FQU17P06TU产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  12A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  0.11ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  79W  
  晶体管封装类型  TO-251AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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FQU17P06TU替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQU17P06TU产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000671
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