FQT1N60CTF_WS,2453912,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQT1N60CTF_WS - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQT1N60CTF_WS
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制造商产品编号：
FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号：
2453912
技术数据表：
(EN)
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:FQT1N60CTF-WSDKR-ND		 onsemi MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-49542
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100+
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1000+
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FQT1N60CTF-WS
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:FQT1N60CTF-WSTR-ND		 onsemi MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-48000
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:512-FQT1N60CTF_WS		 onsemi MOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel12751
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FQT1N60CTF_WS
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:2453912RL		 onsemi , MOSFET, N, 600V, 0.2A, SOT-223-39525
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FQT1N60CTF-WS
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:FQT1N60CTF-WS		 onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 0.12A, 2.1W, SOT2230
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1-3周询价 询价
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FQT1N60CTF_WS Fairchild Semiconductor Corporation 200MA, 600V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET96
1起订		1+
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￥16.46
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FQT1N60CTF-WS Fairchild Semiconductor Corporation SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.2A I(D), 600V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET64
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:1867160		 onsemi ON Semiconductor, FQT1N60CTF-WS, RL4000
4000起订		4000+
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￥4.03
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:1868824P		 onsemi ON Semiconductor, FQT1N60CTF-WS, RL4000
1000起订		1000+
2000+
￥7.94
￥7.7
1-3周购买 购买
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FQT1N60CTF-WS
库存编号:1868824		 onsemi ON Semiconductor, FQT1N60CTF-WS, PK4000
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￥8.18
￥7.94
￥7.7
1-3周购买 购买
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FQT1N60CTF_WS产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  200mA  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  9.3ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  2.1W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
FQT1N60CTF-WS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FQT1N60CTF-WS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FQT1N60CTF-WS
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

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FQT1N60CTF-WS
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MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel

RoHS: Compliant

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FQT1N60CTF_WS
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R (Alt: FQT1N60CTF-WS)

RoHS: Compliant

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FQT1N60CTF_WS
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R (Alt: FQT1N60CTF-WS)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: FQT1N60CTF-WS)

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600V, 0.2A, 11.5 OHM, NCH MOSF

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600V, 0.2A, 11.5 OHM, NCH MOSF

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600V, 0.2A, 11.5 OHM, NCH MOSF

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600V, 0.2A, 11.5 OHM, NCH MOSF

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MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3

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FQT1N60CTF-WS
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RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FQT1N60CTF_WS
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 0.12A, 2.1W, SOT223, QFET?

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FQT1N60CTF_WS
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200MA, 600V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET

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FQT1N60CTF_WS|FAIRCHILDFQT1N60CTF_WS
FAIRCHILD		FQT1N60C 系列 600 V 11.5 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - SOT-223
Rohs

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无图FQT1N60CTF-WS
FAIRCHILD		原厂原装货
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无图FQT1N60CTFWS-BKN
FSC		Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
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FQT1N60CTF_WS|Fairchild SemiconductorFQT1N60CTF_WS
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
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FQT1N60CTF_WS|FAIRCHILDFQT1N60CTF_WS
FAIRCHILD		FQT1N60C 系列 600 V 11.5 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - SOT-223
Rohs

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FQT1N60CTF_WS|Fairchild SemiconductorFQT1N60CTF_WS
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
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Fairchild/ON Semiconductor - FQT1N60CTF_WS - MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4

型号：FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号：FQT1N60CTF_WSCT-ND
别名：FQT1N60CTF_WSCT <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FQT1N60CTF_WS - Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT1N60CTF_WS, 200 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号：
FQT1N60CTF_WS
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
807-5926
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FQT1N60CTF_WS
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQT1N60CTF_WS		2453912

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V

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FQT1N60CTF_WS产地与重量

原产地：
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000188
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