FQP27P06,9846530,晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

FQP27P06 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQP27P06
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQP27P06
仓库库存编号:
9846530
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FQP27P06产品概述

仙童公司的FQP27P06是一个通孔安装的-60V P通道 QFET MOSFET, TO-220封装. 此设备具有平面条形带和DMOS技术, 经量身设计可最小化通导电阻并提供卓越的转换性能以及高雪崩能量强度. 产品适合转换模式电源, 音频放大器, 直流电机控制和可变转换电源应用.
  • 典型低反向传输电容: 120pF
  • 典型低栅极电荷: 33nC
  • 漏极至源极电压: -60V
  • 栅-源电压: ±25V
  • 持续漏电流(ld): -27A
  • 功率耗散: 120mW
  • 55ohm低通导电阻:, Vgs -10V
  • 工作温度范围: -55°C至175°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

FQP27P06产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -27A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  70mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  120W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

FQP27P06相关搜索

晶体管极性 P沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -27A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 -27A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -27A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -27A   漏源电压, Vds -60V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds -60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V   在电阻RDS(上) 70mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS(上) 70mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 70mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 70mohm   电压 @ Rds测量 -10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs -4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -4V   功耗 Pd 120W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 120W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 120W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 120W   晶体管封装类型 TO-220  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 TO-220  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQP27P06产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.032659
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com