FQP19N20C -

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：: FQP19N20C
仓库库存编号：: 2453438
技术数据表：: (EN)

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FQP19N20C产品概述

The FQP19N20C is a 200V N-channel QFET? MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

Low gate charge (typical 40.5nC)
Low Crss (typical 85pF)
100% Avalanche tested
±30V Gate to source voltage
62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
0.9°C/W Thermal resistance, junction to case

电源管理, 照明, 音频, 成像, 视频和目视

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制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	19A
漏源电压, Vds	200V
在电阻RDS（上）	140mohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	4V
功耗 Pd	139W
晶体管封装类型	TO-220AB
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

FQP19N20C -

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V

FQP19N20C产品概述

FQP19N20C产品信息

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散热器, TO-220, TO-220, 7.6 °C/W, 20 mm, 42 mm, 38 mm

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