FQD2N100TM.,2133698,场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 1.6mA,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQD2N100TM. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 1.6mA

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD2N100TM.
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQD2N100TM.
仓库库存编号：
2133698
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQD2N100TM.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.6A  
  漏源电压, Vds  1kV  
  在电阻RDS（上）  7.1ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  50W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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FQD2N100TM.产地与重量

原产地：
India

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000563
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