FQD1N80TM.,1864978,场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 1mA,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

FQD1N80TM. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 1mA

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD1N80TM.
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQD1N80TM.
仓库库存编号：
1864978
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FQD1N80TM.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1A  
  漏源电压, Vds  800V  
  在电阻RDS（上）  15.5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  45W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
关键词         

FQD1N80TM.关联产品

FQD1N80TM.相关搜索

晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 1A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 1A  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 1A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 1A   漏源电压, Vds 800V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds 800V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 800V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 800V   在电阻RDS（上） 15.5ohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS（上） 15.5ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 15.5ohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 15.5ohm   电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 5V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs 5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 5V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 5V   功耗 Pd 45W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 45W  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 45W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 45W   晶体管封装类型 TO-252AA  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 TO-252AA  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-252AA  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-252AA   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -   MSL MSL 1 - Unlimited  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL MSL 1 - Unlimited  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 - Unlimited  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 - Unlimited  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQD1N80TM.产地与重量

原产地：
Switzerland

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000499
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com