FQD11P06TM,2575362,晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQD11P06TM - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD11P06TM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQD11P06TM
仓库库存编号:
2575362
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQD11P06TM产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -9.4A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  0.15ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  QFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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FQD11P06TM产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.001512
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