FQB55N10TM,1783156,场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 55mA,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

FQB55N10TM - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 55mA

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQB55N10TM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQB55N10TM
仓库库存编号：
1783156
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FQB55N10TM产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  55mA  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.021ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  3.75W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
关键词         

FQB55N10TM替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

FQB55N10TM关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

FQB55N10TM相关搜索

晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 55mA  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 55mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 55mA  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 55mA   漏源电压, Vds 100V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds 100V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V   在电阻RDS（上） 0.021ohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS（上） 0.021ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.021ohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.021ohm   电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs 4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V   功耗 Pd 3.75W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 3.75W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 3.75W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 3.75W   晶体管封装类型 TO-263  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 TO-263  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 - Unlimited  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL MSL 1 - Unlimited  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQB55N10TM产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002051
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com