FDY2000PZ,1495192,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDY2000PZ
FDY2000PZ -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号:
FDY2000PZ
仓库库存编号:
1495192
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDY2000PZ产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
350mA
漏源电压, Vds
-20V
在电阻RDS(上)
1.2ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-1.03V
功耗 Pd
625mW
晶体管封装类型
SC-89
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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操作
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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
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电流, Id 连续 350mA
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 350mA
双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 350mA
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 350mA
漏源电压, Vds -20V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds -20V
双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -20V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -20V
在电阻RDS(上) 1.2ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 1.2ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -1.03V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs -1.03V
双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -1.03V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -1.03V
功耗 Pd 625mW
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 625mW
双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 625mW
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 625mW
晶体管封装类型 SC-89
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 SC-89
双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SC-89
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针脚数 6引脚
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 6引脚
双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C
双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -
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邮箱:
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Q Q:
800152669
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FDY2000PZ产地与重量
原产地:
South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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英国2号品牌选型
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