FDV301N,9845011,晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDV301N - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDV301N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDV301N
仓库库存编号:
9845011
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDV301N产品概述

The FDV301N from Fairchild is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
  • Drain to source voltage (Vds) of 25V
  • Gate to source voltage of 8V
  • Continuous drain current (Id) of 220mA
  • Power dissipation (Pd) of 350mW
  • Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

FDV301N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  220mA  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS(上)  3.1ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  850mV  
  功耗 Pd  350mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDV301N产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000033
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