FDS8958B,2454159RL,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS8958B
FDS8958B -
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号:
FDS8958B
仓库库存编号:
2454159RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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FDS8958B产品信息
晶体管极性
N和P沟道
电流, Id 连续
6.4A
漏源电压, Vds
30V
在电阻RDS(上)
0.021ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
2V
功耗 Pd
2W
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
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晶体管极性 N和P沟道
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电流, Id 连续 6.4A
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双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 6.4A
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漏源电压, Vds 30V
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电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 2V
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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FDS8958B产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000187
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