FDS6900AS,1495214,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.9 A, 30 V, 27 mohm, 10 V, 1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS6900AS - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.9 A, 30 V, 27 mohm, 10 V, 1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6900AS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDS6900AS
仓库库存编号:
1495214
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDS6900AS产品概述

The FDS6900AS is a 30V N-channel PowerTrench? SyncFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the low side switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild's monolithic SyncFET technology. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Includes SyncFET Schottky body diode
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理, 消费电子产品

FDS6900AS产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  6.9A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  27mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.9V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDS6900AS产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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