FDS6679AZ,2323197,晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -30 V, 7.7 mohm, -10 V, -1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS6679AZ - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -30 V, 7.7 mohm, -10 V, -1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6679AZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDS6679AZ
仓库库存编号：
2323197
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDS6679AZ产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -13A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  7.7mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.9V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDS6679AZ产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000222
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