FDS4935BZ,1324813,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6.9 A, -30 V, 22 mohm, 10 V, 1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS4935BZ - 

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6.9 A, -30 V, 22 mohm, 10 V, 1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS4935BZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDS4935BZ
仓库库存编号：
1324813
技术数据表：
(EN)
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FDS4935BZ产品概述

The FDS4935BZ is a 30V Dual P-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Extended VGSS range (-25V) for battery applications
  • HBM ESD protection level of ±3.8kV typical
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理, 工业

FDS4935BZ产品信息

  晶体管极性  双P沟道  
  电流, Id 连续  6.9A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  22mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.9V  
  功耗 Pd  1.6W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

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MOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M

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P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC

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Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

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Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

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Transistor: P-MOSFET x2, unipolar, -30V, -6.9A, 1.6W, SO8

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6900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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6900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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Fairchild/ON Semiconductor - FDS4935BZ - MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SO

型号：FDS4935BZ
仓库库存编号：FDS4935BZCT-ND
别名：FDS4935BZCT <br>

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FDS4935BZ|FAIRCHILDFDS4935BZ
FAIRCHILD		FDS4935BZ 系列 30 V 22 mOhm 双 30 V P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
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FAIRCHILD		FDS4935BZ 系列 30 V 22 mOhm 双 30 V P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
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FDS4935BZ|Fairchild SemiconductorFDS4935BZ
Fairchild Semiconductor		IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
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Fairchild Semiconductor - FDS4935BZ - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4935BZ, 6.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
FDS4935BZ
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
671-0536
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FDS4935BZ
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS4935BZ		1324813

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6.9 A, -30 V, 22 mohm, 10 V, 1.9 V

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.018 ohm, -10 V, -1.9 V

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FDS4935BZ产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000232
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