FDS4435BZ. - 

晶体管, P沟道, -30V, 8.8A, SOIC

FDS4435BZ.产品信息

FDS4435BZ.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI4435DY.
  
• 1653655

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-E3.
  
• 1690217

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A

  (EN)
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• SI4835DDY-T1-E3
  
• 1690227

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-GE3
  
• 1858951

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V

  (EN)
• 搜索

• SI4835DDY-T1-GE3
  
• 1858963

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-E3
  
• 2101446

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-GE3.
  
• 2125837

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道

  (EN)
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• SI4835DDY-T1-GE3.
  
• 2146263

• VISHAY

  场效应管, P沟道, MOSFET

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-GE3
  
• 2524622

• VISHAY

  场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷

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• SI4835DDY-T1-GE3
  
• 2524623

• VISHAY

  场效应管, P通道, MOSFET, 整卷

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FDS4435BZ.关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 80-4-5
  
• 2052088

• CHEMTRONICS

  脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M

  (EN)
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FDS4435BZ.相关搜索

FDS4435BZ.产地与重量

原产地：

Switzerland

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.001252