FDP060AN08A0. - 

场效应管, MOSFET, N沟道

FDP060AN08A0.产品信息

FDP060AN08A0.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IRFB3077PBF
  
• 1298539

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V

  (EN)
• 搜索

• IRFB3207ZPBF
  
• 1436950

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V

  (EN)
• 搜索

• IRFB3307ZPBF
  
• 1436952

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V

  (EN)
• 搜索

• FDP060AN08A0
  
• 1700638

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 V

  (EN)
• 查看其他仓库

• IRFB3307ZPBF.
  
• 2126316

• INFINEON

  场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 120A

  (EN)
• 查看其他仓库

FDP060AN08A0.关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• TP0006 PK5
  
• 1417099

• NTE ELECTRONICS

  半导体配件, 绝缘片, TO-220

  (EN)
• 搜索

FDP060AN08A0.相关搜索

FDP060AN08A0.产地与重量

原产地：

Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.002042