FDN358P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V

FDN358P产品信息

FDN358P替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• TSM2314CX
  
• 1864589

• TAIWAN SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV

  (EN)
• 搜索

• FDN358P
  
• 2438447

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V

  (EN)
• 搜索

• ZXMP3A13FTA
  
• 7564937

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 1.6 A, -30 V, 210 mohm, 10 V, -1 V

  (EN)
• 搜索

FDN358P关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• RE901
  
• 1172113

• ROTH ELEKTRONIK

  电路板, 多模适配器, 环氧玻璃复合, 1.5mm, 22.86mm x 46.72mm

  (EN)
• 搜索

• V11-7
  
• 9584560

• LICEFA

  REEL RACK, SMD, 25TO330MM REELS

  (EN)
• 查看其他仓库

• V11-7-6-10
  
• 9584579

• LICEFA

  REEL RACK, SMD, ESD, 25TO330MM REELS

  (EN)
• 查看其他仓库

FDN358P相关搜索

FDN358P产地与重量

原产地：

United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000033