FDN352AP,2438446,晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
Laird产品选型
按产品分类选型
按制造商选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
28B0500-100
IRF9540
保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
新加坡2号仓库
>
半导体 - 分立器件
>
晶体管
>
MOSFET晶体管
>
场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
>
FDN352AP
FDN352AP -
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：
FDN352AP
仓库库存编号：
2438446
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
FDN352AP产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-1.3A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS（上）
180mohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-2V
功耗 Pd
500mW
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
FDN352AP替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
FDN352AP
1467977
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V
(EN)
搜索
FDN352AP相关搜索
晶体管极性 P沟道
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 P沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
电流, Id 连续 -1.3A
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 -1.3A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -1.3A
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -1.3A
漏源电压, Vds -30V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds -30V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
在电阻RDS（上） 180mohm
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS（上） 180mohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 180mohm
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 180mohm
电压 @ Rds测量 -10V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 -10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
阈值电压 Vgs -2V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs -2V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2V
功耗 Pd 500mW
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 500mW
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 500mW
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 500mW
晶体管封装类型 SuperSOT
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 SuperSOT
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SuperSOT
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SuperSOT
针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
汽车质量标准 -
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
MSL MSL 1 -无限制
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL MSL 1 -无限制
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
FDN352AP产地与重量
原产地：
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.001
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
laird电子简介
|
laird产品
|
laird动态
|
按系列选型
|
按产品规格选型
|
laird产品应用
|
laird选型手册
Copyright © 2017
www.laird-tek.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：
800152669
邮箱:
sales@szcwdz.com
(EN)
