FDN339AN,1467976RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 850 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

FDN339AN - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 850 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN339AN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDN339AN
仓库库存编号:
1467976RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FDN339AN产品概述

The FDN339AN is a 20V N-channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理

FDN339AN产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  3A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  35mohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  850mV  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SuperSOT  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

FDN339AN替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

FDN339AN相关搜索

晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 3A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 3A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 3A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 3A   漏源电压, Vds 20V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds 20V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 20V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 20V   在电阻RDS(上) 35mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS(上) 35mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 35mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 35mohm   电压 @ Rds测量 4.5V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 4.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 4.5V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 4.5V   阈值电压 Vgs 850mV  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs 850mV  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 850mV  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 850mV   功耗 Pd 500mW  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 500mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 500mW  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 500mW   晶体管封装类型 SuperSOT  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 SuperSOT  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SuperSOT  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SuperSOT   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDN339AN产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00227
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com