FDN327N,1471048RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDN327N
FDN327N -
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号:
FDN327N
仓库库存编号:
1471048RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDN327N产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
2A
漏源电压, Vds
20V
在电阻RDS(上)
70mohm
电压 @ Rds测量
4.5V
阈值电压 Vgs
700mV
功耗 Pd
500mW
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
FDN327N替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
FDN327N
2251963
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
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电流, Id 连续 2A
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漏源电压, Vds 20V
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在电阻RDS(上) 70mohm
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电压 @ Rds测量 4.5V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 4.5V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 4.5V
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阈值电压 Vgs 700mV
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs 700mV
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 700mV
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 700mV
功耗 Pd 500mW
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 500mW
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 500mW
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 500mW
晶体管封装类型 SuperSOT
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 SuperSOT
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SuperSOT
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针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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Q Q:
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FDN327N产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000001
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