FDN306P,1471047RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDN306P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN306P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDN306P
仓库库存编号：
1471047RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDN306P产品概述

The FDN306P is a P-channel 1.8V specified MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench? process. It has been optimized for battery power management applications.
  • Fast switching
  • High performance trench technology for extremely low RDS

电源管理

FDN306P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -2.6A  
  漏源电压, Vds  -12V  
  在电阻RDS（上）  40mohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -600mV  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SuperSOT  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDN306P产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000034
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