FDMS86163P,2575359,晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -100 V, 17.8 mohm, -10 V, -2.8 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDMS86163P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -100 V, 17.8 mohm, -10 V, -2.8 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDMS86163P
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制造商产品编号：
FDMS86163P
仓库库存编号：
2575359
技术数据表：
(EN)
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FDMS86163P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -50A  
  漏源电压, Vds  -100V  
  在电阻RDS（上）  0.0178ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.8V  
  功耗 Pd  104W  
  晶体管封装类型  Power 56  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  PowerTrench Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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FDMS86163P产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000012
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