FDMQ8203,2083359,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 100 V, 0.085 ohm, 10 V, 3 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDMQ8203 - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 100 V, 0.085 ohm, 10 V, 3 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDMQ8203
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制造商产品编号:
FDMQ8203
仓库库存编号:
2083359
技术数据表:
(EN)
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FDMQ8203产品概述

The FDMQ8203 is a 100V Dual N-channel and Dual P-channel PowerTrench? MOSFET, GreenBridge? series of high-efficiency bridge rectifiers provides ten-fold improvement in power dissipation over diode bridge. Used in bridge rectifier applications. Specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification.

电源管理

FDMQ8203产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  6A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  0.085ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  22W  
  晶体管封装类型  MLP  
  针脚数  12引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDMQ8203产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000272
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