FDMA3027PZ,2254246,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.3 A, -30 V, 0.069 ohm, -10 V, -1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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4.7μF 63V 5mm
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FDMA3027PZ
FDMA3027PZ -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.3 A, -30 V, 0.069 ohm, -10 V, -1.9 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：
FDMA3027PZ
仓库库存编号：
2254246
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDMA3027PZ产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-3.3A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS（上）
0.069ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-1.9V
功耗 Pd
1.4W
晶体管封装类型
μFET
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 双P沟道
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 双P沟道
双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管极性 双P沟道
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电流, Id 连续 -3.3A
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 -3.3A
双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -3.3A
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漏源电压, Vds -30V
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双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS（上） 0.069ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS（上） 0.069ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -1.9V
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -1.9V
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功耗 Pd 1.4W
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 1.4W
双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 1.4W
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晶体管封装类型 μFET
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双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 μFET
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针脚数 6引脚
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双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C
双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
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FDMA3027PZ产地与重量
原产地：
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00005
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英国2号品牌选型
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