FDMA1023PZ,2322591,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 60 mohm, -4.5 V, -700 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDMA1023PZ
FDMA1023PZ -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 60 mohm, -4.5 V, -700 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号:
FDMA1023PZ
仓库库存编号:
2322591
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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FDMA1023PZ产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-3.7A
漏源电压, Vds
-20V
在电阻RDS(上)
60mohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-700mV
功耗 Pd
1.5W
晶体管封装类型
μFET
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 双P沟道
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 双P沟道
双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管极性 双P沟道
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电流, Id 连续 -3.7A
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 -3.7A
双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -3.7A
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漏源电压, Vds -20V
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双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -20V
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在电阻RDS(上) 60mohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 60mohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 -4.5V
双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -700mV
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs -700mV
双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -700mV
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功耗 Pd 1.5W
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双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 1.5W
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晶体管封装类型 μFET
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针脚数 6引脚
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双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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FDMA1023PZ产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.01
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