FDG6316P,1611649RL,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDG6316P - 

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDG6316P
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制造商产品编号：
FDG6316P
仓库库存编号：
1611649RL
技术数据表：
 
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FDG6316P产品信息

  晶体管极性  双P沟道  
  电流, Id 连续  700mA  
  漏源电压, Vds  -12V  
  在电阻RDS（上）  0.221ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -600mV  
  功耗 Pd  300mW  
  晶体管封装类型  SC-70  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDG6316P产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.0001
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