FDD6612A..,4900017,场效应管, MOSFET, N沟道, 36W, TO-252,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDD6612A.. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 36W, TO-252

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD6612A..
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制造商产品编号:
FDD6612A..
仓库库存编号:
4900017
技术数据表:
(EN)
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FDD6612A..产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  33mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  36W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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QQ:800152669

FDD6612A..产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.000482
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