FDD5614P,9846131,晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDD5614P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD5614P
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制造商产品编号:
FDD5614P
仓库库存编号:
9846131
技术数据表:
(EN)
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FDD5614P产品概述

The FDD5614P is a P-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench? process, fast switching speed, high performance trench technology for extremely low RDS (ON).
  • High power and current handling capability

电源管理

FDD5614P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -15A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  100mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.6V  
  功耗 Pd  42W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDD5614P产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0004
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