FDD4685.,2128296,场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 8.4mA,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDD4685. - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 8.4mA

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD4685.
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDD4685.
仓库库存编号：
2128296
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDD4685.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  8.4mA  
  漏源电压, Vds  -40V  
  在电阻RDS（上）  0.023ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  69W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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FDD4685.产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000468
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