FDD13AN06A0,1700666RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDD13AN06A0 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD13AN06A0
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDD13AN06A0
仓库库存编号：
1700666RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDD13AN06A0产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  50A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0115ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  115W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDD13AN06A0产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000531
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