FDC637AN - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 24 mohm, 4.5 V, 820 mV

FDC637AN产品信息

FDC637AN替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI3460DDV-T1-GE3
  
• 1858948

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

  (EN)
• 搜索

• SI3460DDV-T1-GE3
  
• 2395608

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, D-S, 20V, 7.9A, TSOP6

  (EN)
• 查看其他仓库

• FDC637AN..
  
• 9816720

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  场效应管, MOSFET, N沟道

  (EN)
• 查看其他仓库

FDC637AN相关搜索

FDC637AN产地与重量

原产地：

United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.002