FDB8832,1495284RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDB8832 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDB8832
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制造商产品编号:
FDB8832
仓库库存编号:
1495284RL
技术数据表:
(EN)
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FDB8832产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  34A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  1.5mohm  
  电压 @ Rds测量  20V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  2引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Cut TR (SOS) (Alt: FDB8832/BKN)

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30V, 80A, 2.1M OHM N-CH LOGIC

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30V, 80A, 2.1 OHMS, NCH LOGIC

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MOSFET, N, SMD, TO-263

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FDB8832|Fairchild SemiconductorFDB8832
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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Fairchild Semiconductor
MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
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FDB8832
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDB8832
1495284

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V

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ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDB8832
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晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V

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Fairchild/ON Semiconductor - FDB8832 - MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)

型号:FDB8832
仓库库存编号:FDB8832CT-ND
别名:FDB8832CT
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Fairchild/ON Semiconductor - FDB8832_F085 - MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)

型号:FDB8832_F085
仓库库存编号:FDB8832_F085CT-ND
别名:FDB8832_F085CT
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FDB8832|Fairchild SemiconductorFDB8832
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDB8832 - Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8832, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装

制造商零件编号:
FDB8832
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8999
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Fairchild Semiconductor
MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDB8832产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00143
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