FDB33N25TM,2322575,晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDB33N25TM - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDB33N25TM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDB33N25TM
仓库库存编号:
2322575
技术数据表:
(EN)
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FDB33N25TM产品概述

The FDB33N25TM is a 250V N-channel UniFET? MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This high voltage MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode's reverse recovery performance of UniFET FRFET? MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100ns and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200ns and 4.5V/ns respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET's body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested

电源管理, 照明

FDB33N25TM产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  33A  
  漏源电压, Vds  250V  
  在电阻RDS(上)  0.077ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  235W  
  晶体管封装类型  TO-263AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDB33N25TM产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.001658
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