FDB2532,2323157,晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDB2532
FDB2532 -
晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：
FDB2532
仓库库存编号：
2323157
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDB2532产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
79A
漏源电压, Vds
150V
在电阻RDS（上）
0.014ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
4V
功耗 Pd
310W
晶体管封装类型
TO-263AB
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
FDB2532替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
FDB2532
1471029
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
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电压 @ Rds测量 10V
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FDB2532产地与重量
原产地：
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002209
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