ZXMS6005SGTA,1902501RL,晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V,DIODES INC.
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ZXMS6005SGTA - 

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V

DIODES INC. ZXMS6005SGTA
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制造商产品编号:
ZXMS6005SGTA
仓库库存编号:
1902501RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ZXMS6005SGTA产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  2A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  0.15ohm  
  电压 @ Rds测量  5V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  1W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMS6005SGTA产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000102
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